Kronos垂直梯度凝固法系統，用以解決基本工藝問題。該系統的高工作壓力意味著，即使其組分具有高蒸氣壓的材料也可以結晶。該系統可在10-40巴的壓力范圍內用于不同化合物半導體的結晶。這種方法支持晶體的工業化生產，例如砷化鎵（GaAs）的工業化生產可以通過在最大10巴壓力的標準版設備實現，而磷化銦（InP）的生產可以在最大40巴壓力的標準版設備中實現。

SiCma系統專為通過物理氣相傳輸系統（PVT）的方式生產碳化硅晶體而開發。在此過程中，粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華，最后沉積在特定準備的基片上。這項工藝將通過使用一個感應線圈在千赫茲范圍內完成加熱。隨著全球工業領域環保意識的提高，PVA TePla也緊跟時代步伐，通過對該感應線圈進行優化設計以實現低能源消耗。

SR110區熔法硅芯爐的工作方式與區熔系統類似。該系統使用一個在高頻感應線圈下直徑為100毫米的多晶硅棒（源棒）。根據硅棒的長度，在多個拉動工藝中可以產生特定數量的硅芯；然后這些硅芯被用作西門子下游工藝中的原棒。通過隔離閥將接收爐體與工藝爐體分開，可以將完成的硅芯取出，并立即開始下一個工藝。通過引入擴散到熔體中的工藝氣體可以對細桿進行摻雜處理。

FZ-30和FZ-35區熔晶體生長系統專為工業生產直徑達200毫米（8英寸）的單晶硅晶體而設計。根據源棒的尺寸，可以拉出長度為2000毫米的晶體。在這個過程中，晶體的直徑和液態區的高度可以用攝像系統來監測。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高極限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染。

單腔立式甩干機適用于晶圓直徑至200mm；25片晶圓單盒工藝；標準的高邊和低邊花籃；可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝；用冷或熱的N2輔助晶圓干燥；離心頭容易更換。 去靜電裝置安裝于工藝腔室區：去離子水回收；去阻率檢測裝置；機械手自動加載；可放置臺面操作的設備、單立、雙腔；去離子水加熱系統；底座置放不銹鋼滾輪；溶劑滅火裝置；適用特殊設計的花籃。

FZ-14M(G)區熔晶體生長系統為制備單晶硅晶體樣品而設計開發，該系統用于工業多晶硅生產中的材料分析。生產過程中的小型多晶體樣品在氬氣環境中被感應熔化，并在籽晶上結晶，形成單晶，然后進行光譜分析，以檢測和記錄所生產的多晶硅質量。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高極限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染。