SiC用高溫離子注入設備 IH-860DSIC 搭載了高溫ESC(靜電吸附卡盤)的面向SiC量產用的高能粒子注入裝置。
研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500 中電流離子注入裝置IMX-3500為大能量200keV、對應大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置,適用于大學等機構的研究開發。
高能對應離子注入設備SOPHI-400 可達2400KeV的高能離子注入設備。
可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30 低加速、高濃度對應的離子注入設備。
離子注入機是高壓小型加速器中的一種,應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子,經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流,用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入,還用于金屬材料表面改性和制膜等。