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            垂直梯度凝固法系統

            簡要描述:Kronos垂直梯度凝固法系統,用以解決基本工藝問題。該系統的高工作壓力意味著,即使其組分具有高蒸氣壓的材料也可以結晶。該系統可在10-40巴的壓力范圍內用于不同化合物半導體的結晶。這種方法支持晶體的工業化生產,例如砷化鎵(GaAs)的工業化生產可以通過在最大10巴壓力的標準版設備實現,而磷化銦(InP)的生產可以在最大40巴壓力的標準版設備中實現。

            • 產品型號:Kronos
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-05
            • 訪  問  量: 382

            詳細介紹

            1. 產品概述:

            垂直梯度凝固法系統 Kronos 是 PVA TePla 公司推出的一種先進材料制備設備。它主要利用垂直梯度凝固技術,在特定的溫度和氣氛條件下,使材料從熔體中定向凝固生長,從而獲得高質量、具有特定晶體結構和性能的材料。

            2. 設備應用

            · 半導體材料領域:用于生長半導體晶體,如硅、鍺等,這些晶體是制造集成電路、電子器件的基礎材料,所生長的高質量晶體可以提高半導體器件的性能和可靠性。

            · 光電材料領域:可制備用于發光二極管(LED)、激光二極管等器件的材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,有助于提升光電轉換效率和發光性能。

            · 太陽能電池領域:用于生產太陽能電池用的硅基材料,通過精確控制晶體生長過程,提高太陽能電池的光電轉換效率和穩定性。

            3. 設備特點

            · 高精度溫度控制:配備先進的溫度控制系統,能夠在整個生長過程中精確控制溫度梯度,確保晶體生長的穩定性和均勻性,從而獲得高質量的晶體材料。例如,在生長硅晶體時,可精確控制溫度在極小的范圍內波動,保證硅晶體的結構完整性和電學性能。

            · 優化的生長氣氛:可以精確控制生長環境中的氣體成分和壓力,為晶體生長創造最佳的氣氛條件,有效減少雜質和缺陷的形成。比如在生長某些對氧含量敏感的晶體時,能嚴格控制氧氣的含量,防止晶體被氧化。

            · 自動化程度高:系統具備高度自動化的操作流程,從材料裝填、生長參數設置到生長過程監控和結束后的處理,都可以實現自動化控制,減少了人工干預帶來的誤差和不確定性,提高了生產效率和產品質量的穩定性。

            · 可定制化:能夠根據不同用戶的需求和特定材料的生長要求,進行定制化的設計和調整,滿足多樣化的科研和生產需求。例如,對于不同尺寸和形狀的晶體生長需求,可調整設備的腔體結構和相關部件

            4. 產品參數(部分為例

            材料:砷化鎵,磷化銦

            坩堝直徑:4–6"

            坩堝高度:高達450 mm

            爐室直徑:800 mm

            爐室高度:975 mm

            工作壓力:大40 bar

            尺寸規格

            高度:2,900 mm

            寬度:1,650 mm

            深度:1,350 mm

            設備總重量:3,500 kg





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