設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下，生產均勻性好且沉積速率高的薄膜。 PlasmaPro 100 PECVD 由于電極溫度均勻性和電極中的噴淋頭設計，可提供出色的保形沉積和低顆粒生成，允許射頻能量產生等離子體。等離子體的高能反應性物質提供高沉積速率，以達到所需的基板厚度，同時保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應

該ICPCVD工藝模塊設計用于在低生長溫度下生產高質量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現，從而實現優秀的薄膜質量，同時減少基板損傷。

Beneq C2R 將等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產。由于采用等離子體增強旋轉原子層沉積工藝，Beneq C2R 是厚原子層沉積膜的理想選擇，甚至可達幾微米。

用于電池、太陽能和柔性電子產品的功能性原子層沉積涂層，是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態電池的陰極和陽極的鈍化，用于柔性太陽能電池的導電層和封裝，用于柔性電子產品的防潮層。

詳細介紹 Shale® A系列等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD），通過平行電容板電場放電產生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設備采用了8英寸產線設備所通用的國際標準零部件，符合SEMI的設計標準，并通過了嚴苛的穩定性和可靠性測試驗證。

Shale® C系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產生偏壓，可實現低溫、高致密、低損傷、優填充能力的薄膜沉積工藝。該設備采用了8英寸產線設備所通用的國際標準零部件，符合SEMI的設計標準，并通過了嚴苛的穩定性和可靠性測試驗證。