SENTECH Etchlab 200 RIE等離子蝕刻系統代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統，結合了RIE平行板電極設計的優點和直接負載的成本效益設計。

SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態溫控基板電極、一個受控的真空系統和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設計特點。該系統可以配置為處理各種精細結Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP

PlasmaPro 800系列是結構緊湊、且使用方便的直開式系統，該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產級別的批量以及300mm晶圓的工藝。

PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。

憑借在蝕刻GaN，SiC和藍寶石等材料方面的豐富經驗，我們的技術既能夠滿足性價比的要求、又能使器件的性能得到更優化。 PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統為得到更為精細的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業中能保持競爭優勢。

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統利用高密度電感耦合等離子體實現快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于最大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內的多個市場領域。