電感耦合等離子體刻蝕

1. 產品概述

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統利用高密度電感耦合等離子體實現快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內的多個市場域。

高刻蝕速率和高選擇性

低損傷刻蝕和高可重復性加工

單晶圓裝載鎖定或可與多達5個工藝模塊集群

He背面冷卻，以實現佳溫度控制

寬溫度范圍電，-150°C至400°C

與所有大尺寸為200毫米的晶圓兼容

晶圓尺寸之間的快速轉換

原位腔室清潔和終點控制功能

2. 特色參數

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統利用高密度電感耦合等離子體實現快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內的多個市場域。

晶圓尺寸：大可達200mm

ICP源尺寸可選：65mm和300mm

溫度范圍：從-150°C到400°C

集群：多達5個模塊，包括 ALD、PECVD、離子束刻蝕和離子束沉積等技術