快速退火爐RTP

1. 產品概述

半導體激光退火機是用于半導體制造過程中的一種設備。退火是一種熱處理過程，通過加熱半導體材料來改變其性質，以實現所需的特性，如電導率、晶體結構和應力緩解。半導體激光退火機利用高能激光束來對半導體基片進行精確和控制的加熱和修改。

2. 設備特點

主要功能：快速熱退火，快速熱氧化，快速熱氮化，擴散，化合物半導體退火，離子注入后退火，電極合金化等；

樣片尺寸：8inch，向下兼容，支持不規整樣品退火；

退火溫度范圍：室溫~1200 ℃；

室溫到1000度，最快升溫速率120 ℃/second；

全程熱電偶測溫，不使用高溫計，無需額外校準；

退火溫度的重復性、準確性 ± 1 ℃；

兩路工藝氣體，MFC流量計控制，流量為0-5NLM；

可通入氮氣、氧氣，可以分別通入或者通入混合氣體；

可選擇真空退火模式，真空度可達10^-6hpa；

配置前級泵，抽速3L/s,極限壓力4*10-2pa；

SPS SIMATIC 軟件控制工藝過程，可編程序不少于50個，且每個程序可編程步驟不少于50步。