<noframes id="91h9j"><form id="91h9j"><th id="91h9j"></th></form>

      <noframes id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address>
      <address id="91h9j"><listing id="91h9j"><meter id="91h9j"></meter></listing></address>
        <address id="91h9j"></address>
        <address id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address></address><form id="91h9j"></form>

            <address id="91h9j"><nobr id="91h9j"><progress id="91h9j"></progress></nobr></address>
            歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站!
            咨詢熱線

            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  2 PVD  >  customized分子束外延薄膜沉積系統MBE

            分子束外延薄膜沉積系統MBE

            簡要描述:分子束外延薄膜沉積系統MBE 是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在高溫的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐,就可以制取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜。可以精確地控制結晶生長,進行沉積系統中結晶生長過程的研究。

            • 產品型號:customized
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-06
            • 訪  問  量: 1269

            詳細介紹

            1. 產品概述

            分子束外延薄膜沉積系統MBE 是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在高溫的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐,就可以制取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜??梢跃_地控制結晶生長,進行沉積系統中結晶生長過程的研究。

            2. 設備特點

            分子束外延,是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在溫度保持在100°以上的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐,就可以制取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜??梢跃_地控制結晶生長,進行沉積系統中結晶生長過程的研究

            12個源爐:鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等

            襯底:大4inch ;

            高溫度:1000°C 溫度均勻性:≤±3°C(4inch);

            超高真空下全自動樣品轉移;

            用于過程控制和分析的所有現代現場監控功能;

            一個集群上多7個超高真空功能單元:裝載、儲存、翻轉、處理、排氣、生長,外部腔室

            可連接其他分析設備或其他:ALD、PLD、PVD、金屬化、STM。

             

            產品咨詢

            留言框

            • 產品:

            • 您的單位:

            • 您的姓名:

            • 聯系電話:

            • 常用郵箱:

            • 省份:

            • 詳細地址:

            • 補充說明:

            • 驗證碼:

              請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
            日本乱码一卡二卡三卡永久