化學氣相沉積MOCVD

1. 產品概述

MOCVD設備是通過將反應物質以有機金屬化合物氣體分子的形式，經載帶氣體送到反應室，進行熱分解反應而生長出薄膜材料。應用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

2. 設備用途/原理

應用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等；

MOCVD設備是通過將反應物質以有機金屬化合物氣體分子的形式，經載帶氣體送到反應室，進行熱分解反應而生長出薄膜材料；

加熱系統：采用鎢絲加熱，三溫區控制，最高溫度至1400℃；

反應腔室內托盤與噴淋頭間距可調（范圍覆蓋5 mm至25 mm）；

工藝過程中，具有實時晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監測功能；

搭載溫度監測系統，可實時掃描晶圓溫度mapping圖。

3. 設備特點

從研發到大規模生產；

襯底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch；

通過載波交換實現：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch；

Ga2O3薄膜生長速率：>3um/h；

Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范圍由AFM在Ga2O3襯底上測量 ≤1.0 nm。