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詳細介紹
1. 產品概述
提供深硅蝕刻（DSiE）領域的MEMS，封裝和納米技術的廣泛應用，從光滑側壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實現。百科：深硅刻蝕系統的原理既包括利用等離子體中的活性粒子進行物理和化學作用的等離子體刻蝕技術，也包括通過化學反應去除材料的濕法刻蝕技術。
2. 設備特點
光滑側壁工藝；
高刻蝕速率腔刻蝕;
高深寬比工藝;
錐形通孔刻蝕;
機械或靜電壓盤,加熱內襯;
延長了兩次清洗間的平均時間間隔（MTBC）環形激光陀螺反射鏡;
X射線光學系統;
紅外（IR）傳感器;
II-VI族材料，通信濾波器。
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