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            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  5 刻蝕設備  >  Ionfab 300 IBE離子束刻蝕系統IBE

            離子束刻蝕系統IBE

            簡要描述:離子束刻蝕系統IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

            • 產品型號:Ionfab 300 IBE
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-06
            • 訪  問  量: 1159

            詳細介紹

            1. 產品概述

            離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。百科:?離子束刻蝕系統(IBE)是一種物理刻蝕技術,利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子,并通過陽極電場加速的離子束對樣品表面進行物理轟擊,以達到刻蝕的目的。?離子束刻蝕(IBE),也稱為離子銑(Ion Beam Milling),是一種具有強方向性的物理刻蝕機理,能夠產生各向異性刻蝕,適用于小尺寸圖形的加工。

            2. 設備特點

            磁阻式隨機存取存儲器(MRAM);

            介電薄膜

            III-V族光電子材料刻蝕;

            自旋電子學;

            金屬電極和軌道;

            超導體

            激光端面鍍膜;

            高反射(HR)膜;

            防反射(AR)膜;

            環形激光陀螺反射鏡;

            X射線光學系統;

            紅外(IR)傳感器;

            II-VI族材料;

            通信濾波器。

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