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半導體前道工藝設備
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SES系列 8英寸多片硅外延系統為單腔多片式硅外延設備,適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝。SES系列反應腔室采用多片平板式的結構,配合感應加熱的方式實現高質量的外延薄膜生長,適用于厚度5-150µm范圍的外延工藝,精確可調N型、P型摻雜。該設備智能化人機交互設計與高效的安全互鎖保障了系統安全和穩定。
刻蝕機終點檢測系統 檢測原理:通過特定波長譜線的強度變化來反映是否達到刻蝕終點。
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