Beneq Transform 300 是一個高度通用的制造平臺，面向致力于 CIS、電源、Micro-OLED/LED、先進封裝和其他 MtM 應用的 IDM 和代工廠。它是一種高度可配置的解決方案，適用于多種高級薄膜應用，從柵極電介質到鈍化和/或封裝等。

碳化硅沉積系統G10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場上最高的晶圓產量 / m2市場上晶圓出色的運行過程性能高度均勻、低缺陷的 SiC 外延工藝，可實現最大的芯片良率

化合物半導體沉積系統“行星式反應器模塊，用于在150/200毫米襯底（Si/藍寶石/SiC）上應用氮化鎵，可提高生產率和晶圓性能”

化合物半導體沉積系統AIX G5 WW C“下一代碳化硅電力電子器件的最佳性能，以應對全球大趨勢”高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。

化合物半導體沉積系統AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光電子學和射頻應用的 HVM 最佳反應器”

金屬有機源氣相沉積系統MOCVD主要由真空室反應系統、氣體（載氣與氣相有機源）輸運控制系統、有機源蒸發輸運控制系統、電源控制系統、尾氣處理及安全保護報警系統組成。 MOCVD系統作為化合物半導體、超導等薄膜材料研究和生產的手段，特別是作為工業化生產的設備，有著其它半導體設備無法替代的優點。它的高質量、穩定性、重復性及多功能性越來越為人們所重視。