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詳細介紹
1.產品概述：
高真空磁控濺射與離子束復合薄膜沉積系統可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩定、模塊化結構，采用行業先的軟件控制系統，用于納米單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。
2.產品工藝：
真空室結構:圓筒形上升蓋
真空室尺寸:φ550x450mm
限真空度:≤6.0E-5Pa
沉積源:磁控靶3套，φ2英寸；
四工位轉靶1套；
樣品尺寸，溫度:φ2英寸，6片。高可以到達800℃
占地面積（長x寬x高）:約3米×1.1米×2米
電控描述:全自動控制
工藝:片內膜厚均勻性：≤±3%
濺射源：考夫曼離子源 Kaufman 2套，φ2英寸
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