SiC分子外延系統

Epiluvac ER3-C1

晶圓直徑可達 200 mm （8“）

通過熱壁拓撲結構實現出色的均勻性

優良的動態氣體流量控制，可實現佳生長速率和摻雜均勻性。

具有多個加熱區的出色溫度曲線

不含石英，適用于氯化工藝

在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命

模塊化設計，兩個、三個或四個反應器組成集群配置。每個反應器都針對特定的生長步驟進行了優化

在受控環境中在反應器之間進行晶圓運輸

高達 1800 °C

適用于中小批量生產和研發

Epiluvac EPI 1000-C：

熱壁 CVD 具有出色的均勻性

大 150 mm 基板直徑

單晶圓和手動裝載

非常適合研發

Epiluvac ER3-N1：

上述ER3-C1系統的GaN版本

可選的原位監測

獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲

Epiluvac ER3-C1：

晶圓直徑可達 200 mm （8“）

通過熱壁拓撲結構實現出色的均勻性

優良的動態氣體流量控制，可實現佳生長速率和摻雜均勻性。

具有多個加熱區的出色溫度曲線

不含石英，適用于氯化工藝

在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命

模塊化設計，兩個、三個或四個反應器組成集群配置。每個反應器都針對特定的生長步驟進行了優化

在受控環境中在反應器之間進行晶圓運輸

高達 1800 °C

適用于中小批量生產和研發

Epiluvac EPI 1000-C：

熱壁 CVD 具有出色的均勻性

大 150 mm 基板直徑

單晶圓和手動裝載

非常適合研發

Epiluvac ER3-N1：

上述ER3-C1系統的GaN版本

可選的原位監測

獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲