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詳細介紹
1.產品概述：
NEXUS IBD是由VEECO研發的第三代NEXUS® 離子束沉積 （IBD），適用于硬偏置、引線、絕緣層和傳感器堆棧沉積。
2.產品原理：
離子束輔助沉積的原理是在離子束的作用下，將氣態或液態物質引導到材料表面，通過物理或化學反應，形成固態薄膜。 離子束輔助沉積具有沉積溫度低、薄膜質量高、可控制性好等優點，因此在光電、電子、能源等領域得到廣泛應用。
3.產品優勢：
數據存儲制造商可以借助 Veeco 的第三代 NEXUS® 離子束沉積 （IBD） 系統大幅提高 80Gb/in2 傳感器的產量，并滿足未來 TFMH 設備制造的需求。
支持各種設備，從當的 CIP 到高 CPP 設備
MRAM 應用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁頭的理想選擇
改進了所有準直沉積應用的 CD 控制
通過沉積羽流的對稱到達獲得更銳利的起飛角度
平臺易于與 PVD、IBE 和其他技術集成
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