<noframes id="91h9j"><form id="91h9j"><th id="91h9j"></th></form>

      <noframes id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address>
      <address id="91h9j"><listing id="91h9j"><meter id="91h9j"></meter></listing></address>
        <address id="91h9j"></address>
        <address id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address></address><form id="91h9j"></form>

            <address id="91h9j"><nobr id="91h9j"><progress id="91h9j"></progress></nobr></address>
            歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站!
            咨詢熱線

            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  3 CVD  >  TFS 200原子層沉積研究設備

            原子層沉積研究設備

            簡要描述:Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺,專為學術研究和企業研發而設計。Beneq TFS 200 經過專門設計,可最大限度地減少多用戶研究環境中可能發生的任何交叉污染。大量的可用選項和升級意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起擴展,以滿足研究要求。

            • 產品型號:TFS 200
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-10
            • 訪  問  量: 723

            詳細介紹

            Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺,專為學術研究和企業研發而設計。Beneq TFS 200 經過專門設計,可最大限度地減少多用戶研究環境中可能發生的任何交叉污染。大量的可用選項和升級意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起擴展,以滿足的研究要求。

            Beneq TFS 200 代表了能夠在晶圓、平面物體、多孔散裝材料和縱橫比 (HAR) 特性的復雜 3D 物體上沉積優質涂層的技術解決方案。

            直接和遠程等離子體增強沉積 (PEALD) 是 Beneq TFS 200 的標準選件。等離子體是電容耦合 (CCP),這是當今的行業標準。CCP 等離子選件為高達 200 毫米的基板提供直接和遠程等離子體增強 ALD (PEALD),正面朝上或面朝下。

            • 處理周期時間通常小于 2 秒。在特定情況下甚至不到 1 秒

            • 高縱橫比 (HAR) 可用于具有通孔和多孔基板的結構

            • 用于快速加熱和冷卻的冷壁真空室

            • 真空室中的輔助入口可實現等離子體、原位診斷等。

            • 負載鎖定可用于快速更換基板并與其他設備集成。






            產品咨詢

            留言框

            • 產品:

            • 您的單位:

            • 您的姓名:

            • 聯系電話:

            • 常用郵箱:

            • 省份:

            • 詳細地址:

            • 補充說明:

            • 驗證碼:

              請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
            日本乱码一卡二卡三卡永久