ICPCVD

直開式設計允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕控制和速率測定

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓最大可達200mm

購置成本低

符合半導體行業 S2 / S8標準

小型系統——易于安置

優化了的電極冷卻——襯底溫度控制

高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率

增加<500毫秒的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵——提供優。越的泵送速度加快氣體的流動速度

關鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡單

X20控制系統——大幅提高了數據信息恢復功能， 同時可以實現更快更可重復的匹配

通過前端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快

用干涉法進行激光終點監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測—— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測

應用：

III-V族刻蝕工藝

硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

類金剛石

類金剛石（DLC）沉積

二氧化硅和石英刻蝕

用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓

高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途

用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕