去膠設備

1 產品概述:

    去膠設備通過不同的技術和方法去除物體表面的雜質。在電子行業中，等離子去膠機是一種先進的去膠設備，它利用等離子體中的高能粒子對光刻膠進行轟擊，使其發生化學反應和物理剝離，從而實現去除光刻膠的目的。等離子去膠機通常包括反應室、等離子體發生器、控制系統和真空系統等關鍵部件。

2 設備用途：

    去膠設備的用途廣泛，特別是在電子、汽車、化工、建筑等多個領域。在電子行業中，去膠設備主要用于：

1. 半導體制造：去除硅基半導體及化合物半導體表面的光阻灰化、高劑量離子注入后的光刻膠殘留、晶圓表面的殘膠和污染物等。

2. 晶圓級封裝：在晶圓級封裝的前處理工藝中，去除晶圓表面的污染物和雜質，提高封裝質量。

3. 電路板制造：去除印刷電路板表面的膠層，提高電路板的精度和可靠性。

3 設備特點

  高效性：等離子去膠機去膠速度較快，可以在較短的時間內完成大量樣品的處理，提高生產效率。

  環保性：相比化學去膠方法，等離子去膠機不需要使用有害的化學試劑，處理過程中不會產生有毒廢物，對環境的影響較小。

  可控性：通過調節等離子體的參數（如功率、氣壓、氣體種類等），可以精確控制去膠的速度和效果，滿足不同工藝需求。

  兼容性：等離子去膠機適用于各種類型的光刻膠和底層材料，且對底層材料的損傷較小。

  集成性：可以與其他等離子體工藝（如等離子體清洗、等離子體蝕刻等）集成在同一設備中，實現全自動化生產，提高生產效率。
4 技術參數和特點：

  次世代晶圓工藝必須的 1 x 10¹⁶atoms/cm²以上離子注入剝離工藝、PI去除工藝中，可實現低顆粒工藝。

添加F系氣體工藝適合的腔體構成，可對應低顆粒需求。因此，從普通PR到離子注入剝離、有機膜剝離（PI，DFR等）、氧化膜刻蝕等

非常廣泛的工藝均可對應。

采用簡單的設備構成可同時實現“維修性·信賴性"。

有彈性的腔體構成選擇（μ波、RIE、μ波＋RIE），可實現豐富的搬送路經。

僅設定工藝菜單即可切換晶圓尺寸，晶圓尺寸容易實現。

道后端工藝的離子注入剝離工藝(1 x 10¹⁶atoms/cm²以上)的PI除去

添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)

芯片封裝的BUMP工藝

CCD顏色過濾膜的制造工藝

添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)

芯片封裝的BUMP工藝

CCD顏色過濾膜的制造工藝