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詳細介紹
1. 產品概述
NMC 508系列 CCP介質刻蝕機，多頻解耦設計，實現優異的均勻性及高深寬比介質刻蝕。
2. 設備用途/原理
NMC 508系列 CCP介質刻蝕機，多頻解耦設計，實現優異的均勻性及高深寬比介質刻蝕。應用域廣泛，涵蓋Si power、SiC Power、GaN Power、MEMS、硅光等。工藝種類覆蓋道HM刻蝕、CT刻蝕、Spacer刻蝕，后道Via刻蝕、PAD刻蝕。靈活的系統配置，適合研發、中試線、大規模生產線的不同應用。采用Clean Mode量產，道、后道均可實現優異的量產穩定性及更高的MTBC。
3. 設備特點
晶圓尺寸 6/8 英寸兼容。適用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。適用工藝 鈍化層刻蝕、硬掩膜刻蝕、接觸孔刻蝕、導線孔刻蝕、側襯刻蝕、回刻、自對準刻蝕。適用域 科研、集成電路、化合物半導體。
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