脈沖激光沉積鍍膜機PLD

1. 產品概述

脈沖激光沉積鍍膜機PLD 系統主要由真空室、旋轉靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

2. 設備用途

脈沖激光沉積鍍膜機PLD 是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移，及最后物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD非常適合生長多元氧化物的多層膜和異質膜，輕松實現對化學成分較復雜的復合物材料進行材料生長。在生長過程中還可以實現引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體，以提高薄膜生長品質。

3. 技術參數

基片尺寸：8inch（可向下兼容）

加熱溫度：1000℃   加熱方式：輻射加熱

靶材：3*4"

真空度：5*10-7Pa

氣路系統：氧氣、氮氣、氬氣

模塊：PLD+進樣室

激光窗口：配有閘板閥

光路系統：激光掃描功能

4. 企業簡介

深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司已授實用新型權利 29 項，軟件著作權 14 項，是創新型中小企業、科技型中小企業、規模以上工業企業。