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詳細介紹
1. 產品概述
可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。
2. 設備用途/原理
III-V族材料刻蝕工藝；
固體激光器 InP刻蝕；
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕；
射頻器件低損傷 GaN刻蝕；
類金剛石 （DLC） 沉積；
二氧化硅和石英刻蝕；
用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕。
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