RIE-200C RIE等離子刻蝕設備是在擁有豐富交貨業績的CCP RIE系統 “RIE-10NR “的基礎上開發的量產型盒式裝載系統。該系統可對Si、Poly-Si、SiO?、SiN等各種硅薄膜進行高精度蝕刻和灰化。采用雙盒雙臂機械手，PLC控制全自動操作，高性能存儲工藝參數，實現了高產量。

RIE-200NL是一種負載鎖定型的反應離子蝕刻系統，它提高了工藝的可重復性，并允許腐蝕性氣體化學。優化的工藝室設計可在ø8 “晶圓或ø220mm小晶圓的載盤上提供優異的均勻性。該系統可實現精確的側壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設計時尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。

高密度等離子體刻蝕設備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統配備了真空盒室，是一套完整的生產系統，具有優良的工藝重復性和穩定性。

RIE-10NR是一種新型的低成本、高性能的全自動RIE等離子刻蝕設備，它能滿足非腐蝕性氣體化學苛刻的工藝要求。計算機化的觸摸屏為參數控制和存儲提供了一個用戶友好的界面。該系統可實現精確的側壁輪廓控制和材料間的高蝕刻選擇性。RIE-10NR具有時尚、緊湊的設計，需要小的潔凈室空間。

RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設備高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型ICP蝕刻系統。該系統通過采用龍卷風式線圈電，高效地產生穩定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導體進行高精度的各向異性蝕刻。

RIE-230iPC是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的盒式ICP蝕刻系統。該系統通過采用龍卷風式線圈電，高效地產生穩定的高密度等離子體，實現了對硅、各種金屬薄膜和化合物半導體的高精度各向異性蝕刻。此外，ø230mm的托盤可同時處理多種化合物半導體。