PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統系統小40%。 從研究到半大規模生產，它的應用范圍很廣。

PD-3800L 化學氣相沉積系統是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統。該系統由于采用了大型反應室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產量較高。在直徑360mm的區域內可以沉積出具有優異的厚度均勻性和應力控制的薄膜，具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數控制和配方存儲。

PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標準功能?？稍谥睆?20毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。

AL-1無針孔薄膜沉積設備通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數量。此外，可以在高寬比的孔內壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜?？赏瑫r沉積3片ø4英寸的晶片。

PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統在節省空間的提下提供了PECVD的所有標準功能?？稍谥睆?20毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。

Orion Proxima 高密度等離子體化學氣相沉積系統。