深硅刻蝕機

1.產品概述：

PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實現多工藝領域覆蓋。該機臺針對Bosch循環工藝方式采用專業先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結合先進的工藝技術，可實現超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產能量產使用需求。

2.設備應用：

晶圓尺寸

8/12 英寸兼容

適用材料

硅、氧化硅、氮化硅

適用工藝

2.5D&3D TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕

適用領域

集成電路、先進封裝、功率半導體、圖像傳感器、微機電系統

3.特色優點：

刻蝕方式：采用快速氣體和射頻切換控制系統結合的方式，能夠在高深寬比深硅刻蝕中精準控制側壁形貌，實現側壁無損傷和線寬無損傷，且刻蝕均勻性、選擇比更佳 135。

結構設計：每腔單片設計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現，可確保半導體器件制造工藝的質量和穩定性更優。并且機臺可同時配置 6 個腔室，產能和性能表現優異 15。

晶圓邊緣保護：通過優化機臺晶圓邊緣保護裝置，有效提高了產品良率，其效果優于當前行業產品指標 。

工藝應用：全面應用于國內各大 12 英寸主流 fab 廠，不僅是 TSV 量產生產線主力機臺，還擴展至功率器件、CIS 等領域。例如，在 TSV 工藝中表現出色；在 2.5D 工藝中，可提供能滿足 BVR（背面通孔暴露）和 BFR（背面平整暴露）不同工藝需求的刻蝕工藝解決方案。

 4.設備特點

兼容Bosch/Non-Bosch工藝，實現多工藝領域覆蓋

優化的進氣系統和ESC系統，提高均勻性

快速進氣系統，確保刻蝕速率高，Scallop小

實現高深寬比的形貌控制