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詳細介紹
1 產品概述：
分子束外延薄膜沉積系統（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一種先進的薄膜生長技術，廣泛應用于材料科學和半導體制造領域。該系統在超高真空環境中工作，通過精確控制分子束的噴射和沉積過程，在單晶基片上生長出高質量、均勻性好的外延薄膜。MBE系統通常由多個源爐、基片加熱臺、真空腔室、樣品傳遞機構以及精密的控制系統組成。
2 設備用途：
半導體材料研究：MBE系統可用于制備高質量的半導體外延層，如硅、鍺及其化合物半導體等，對于研究半導體材料的物理性質、電子結構以及開發新型半導體器件具有重要意義。
光電子器件制造：在光電子器件（如激光器、光電探測器等）的制造過程中，MBE系統可用于生長具有特定光學和電學性質的外延層，提高器件的性能和穩定性。
微納電子學：MBE技術還可用于制備納米結構材料，如量子點、量子阱等，為微納電子學的發展提供重要的材料基礎。
材料科學研究：MBE系統可用于研究材料生長過程中的動力學、熱力學以及界面反應等機制，推動材料科學領域的發展。
3. 設備特點
1、超高真空環境：MBE系統工作在超高真空環境中，通常要求基礎真空度達到1.0×10^(-10) Torr或更低，以確保分子束的純凈度和外延薄膜的質量。
2、精確控制：MBE系統能夠精確控制分子束的噴射速率、沉積溫度、沉積時間等參數，從而實現對外延薄膜厚度、成分和結構的精確控制。
3、高質量外延薄膜：由于MBE系統的工作環境和控制精度，其生長的外延薄膜具有質量、均勻性和低的缺陷密度，適用于制備高性能的電子和光電子器件。
4、綜上所述，半自動雙軸減薄機以其高精度、雙軸研削單元、自動厚度測量和補償系統、定制化工作臺、操作靈活以及良好的兼容性等特點，在半導體制造、硅片加工、光學材料處理及薄膜材料制備等領域發揮著重要作用。
4 設備參數：
缺陷密度 | ≤ 50 /cm2 |
厚度均勻性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
成分均勻性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
厚度均勻性 （AlAs/GaAs）SL （DDX） | ± 1.5% |
Si摻雜標準差均勻性 | < 3% |
諧振器的FP-Dip均勻性 | 3納米 |
背景載流子密度 | 7×1014厘米-3 |
HEMT 電子遷移率 | 6000 平方厘米伏-1 平方@RT |
分子束外延薄膜沉積系統MBE 8000
厚度均勻性 InGaAs/GaAs 在 8×6'' 壓板上超晶格厚度298? +/- 2?
諧振器晶圓在 8×6 英寸壓板上的 Fabry-Perot 浸漬均勻性波長變化<3nm
電子遷移率 – 標準基氮化鎵 HEMT電子遷移率 @ 77K178 000 cm2V-1 s-1
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