ICP沉積系統

1. 產品概述

SENTECH SIPAR ICP沉積系統是為使用靈活的系統架構的各種沉積模式和工藝開發和設計的。該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態溫控基板電和一個受控的真空系統。該系統將等離子體增強化學氣相沉積 （PECVD） 和原子層沉積 （ALD） 結合在一個反應器中。

2. 主要功能與優勢

SENTECH SIPAR ICP 沉積系統將原子層沉積 （ALD） 和電感耦合等離子體增強真空沉積 （ICPECVD） 技術結合在一個反應室中以順序沉積方法進行。用戶可以利用這兩種工藝的優勢來實現精確、保形和高質量的多層膜，同時對膜厚、均勻性、選擇性和沉積速率有出色的控制。這在先進的有機電子學、微電子學、納米技術和半導體器件研究中尤為重要。

3. 靈活的系統架構

該系統采用靈活的系統架構，為各種沉積模式和工藝而設計和開發。由均勻和保形沉積的原子層沉積的原子層沉積層和快速生長的 ICPECVD 薄膜組成的混合多層膜在有機器件技術、納米技術以及半導體研究和工業中具有優勢。

4. 高性價比

SENTECH SIPAR ICP的高效多層沉積能力和小尺寸使其具有很高的成本效益和多功能性。它非常適合用于有機設備技術、納米技術和半導體研究的研發和學術機構。

5. 靈活性和模塊化

SENTECH SIPAR ICP 沉積系統允許使用 ALD 和電感耦合等離子體增強化學氣相沉積 （ICPECVD） 進行順序沉積，而無需在不同反應室之間轉移底物。

由均勻和保形沉積的原子層沉積物原子層沉積層和快速生長的 ICPECVD 薄膜組成的混合多層膜在有機器件技術、納米技術和半導體研究中具有優勢。SENTECH SIPAR ICP沉積系統為生產、研發和大學使用提供了高效的多層沉積。更低的價格、更高的吞吐量和更小的占地面積使 SENTECH SIPAR ICP 沉積系統比集群解決方案更具優勢。