RIE等離子刻蝕系統

1. 產品概述

SENTECH SI 500 CCP 系統使用動態溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。

2. 主要功能與優勢

材料蝕刻靈活性

從結構電介質到GaAs和InP等III-V族化合物，SENTECH SI 500 CCP RIE 等離子體蝕刻系統具有氦氣 （He） 背面冷卻功能，可在很寬的溫度范圍內（RT 至 250°C）工作。金屬的物理蝕刻和量子材料（如石墨烯和hBN）的慢速蝕刻是可能的。

優異的工藝穩定性

他的背面冷卻和動態溫度控制通過防止基板加熱來實現穩定的蝕刻。使用SENTECH自適應襯底處理，可以在不打開反應器的情況下，通過氦氣背面冷卻輕松處理小晶圓。

優異的均勻性

SI 500 CCP 在 RIE 模式下運行，帶有噴淋頭，可實現均勻的氣體分布，可在高達 200 mm 的基材上提供出色的均勻性和一致的結果。

3. 靈活性和模塊化

SENTECH SI 500 CCP 是一種導電耦合等離子體 （CCP） 蝕刻系統，具有氦背面冷卻功能，用于在 RIE 模式下處理襯底。它專為 III/V 和 Si 加工領域的模塊化和工藝靈活性而設計。

該系統在不同技術的所有重要蝕刻工藝中都得到了充分的驗證，并且可以執行各種蝕刻工藝。

SENTECH SI 500 CCP由先進的硬件和SIA操作軟件控制，具有客戶端-服務器架構。一個經過充分驗證的可靠可編程邏輯控制器（PLC）用于所有組件的實時控制。