等離子增強化學氣相沉積PECVD

1. 產品概述

PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

2. 特色參數

直開式設計允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕控制和速率測定

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓大可達200mm

購置成本低

符合半導體行業 S2 / S8標準

小尺寸系統——易于安置

優化了的電冷卻——襯底溫度控制

高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率

增加了<500毫的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵——提供優秀的泵送速度加快氣體的流動速度

關鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡單

X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實現更快更可重復的匹配

通過端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快

用干涉法進行激光終點監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測—— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測