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詳細介紹
多種 ALD 材料可供選擇，可滿足您的要求。 多年來，Beneq 一直是用于研發和工業生產的卷對卷原子層沉積系統的先驅。我們的常用材料包括 Al?O?、TiO?、ZnO、ZnS、SiO? 或可根據要求提供的任何其他材料。
卷筒紙寬度：最大420mm
ALD鍍膜厚度：最大100nm
動態沉積速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min
過程溫度：最高 250°C
在最大420mm的卷筒紙寬度下，Genesis ALD適用于實驗室研發或中試規模生產。 設計用于將 ALD 薄膜處理到聚合物或金屬等柔性基材上。通過與我們的合作伙伴 E+R Group（卷對卷真空鍍膜機公司）合作，我們為客戶提供更寬的卷筒紙和生產線集成的可選設計。
用于電池、太陽能和柔性電子產品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。
各種類型鋰離子和固態電池的陰極和陽極的鈍化
用于柔性太陽能電池的導電層和封裝
用于柔性電子產品的防潮層
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