<noframes id="91h9j"><form id="91h9j"><th id="91h9j"></th></form>

      <noframes id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address>
      <address id="91h9j"><listing id="91h9j"><meter id="91h9j"></meter></listing></address>
        <address id="91h9j"></address>
        <address id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address></address><form id="91h9j"></form>

            <address id="91h9j"><nobr id="91h9j"><progress id="91h9j"></progress></nobr></address>
            歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站!
            咨詢熱線

            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  2 PVD  >  Ionfab 300 IBD離子束沉積

            離子束沉積

            簡要描述:離子束沉積產品是因為它們能夠生產具有高質量,致密和表面光滑的沉積薄膜。離子束技術提供了一種多樣的刻蝕和沉積的方法,并可在同一設備上實現, 因而提高系統的利用率。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統規格與實際應用緊密協調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

            • 產品型號:Ionfab 300 IBD
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-08-12
            • 訪  問  量: 338

            詳細介紹

            • 多模式功能

            • 能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設備相集成

            • 單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作

            • 雙束流配置

            • 更低的表面薄膜粗糙度

            • 更佳的批次均勻性和工藝重復性

            • 準確終點監測 —— SIMS,發射光譜

              產品特點

            • 質量薄膜高 ——超低污染

            • 產量高,緊湊的系統體積設計-——運行成本低

            • 高速襯底架(高達1000RPM)設計,并配備了白光光學監視器(WLOM)——更為精確的實時光學薄膜控制

            • 配置靈活 ——適于先進的研究應用

            • 靈活的晶圓操作方式 —— 直開式、單晶圓傳送模式或者帶機械手臂的盒對盒模式

              應用

            • 磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)

            • 介電薄膜

            • III-V族光電子材料刻蝕

            • 自旋電子學

            • 金屬電極和軌道

            • 超導體

            • 激光端面鍍膜

            • 高反射(HR)膜

            • 防反射(AR)膜

            • 環形激光陀螺反射鏡

            • X射線光學系統

            • 紅外(IR)傳感器

            • II-VI族材料

            • 通信濾波器




            產品咨詢

            留言框

            • 產品:

            • 您的單位:

            • 您的姓名:

            • 聯系電話:

            • 常用郵箱:

            • 省份:

            • 詳細地址:

            • 補充說明:

            • 驗證碼:

              請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
            日本乱码一卡二卡三卡永久