枚葉式PECVD設備

1 產品概述:

   枚葉式PECVD設備（盡管此名稱可能非標準），作為PECVD技術的一種實現方式，其核心在于利用等離子體增強化學氣相沉積過程。該設備通過特定的氣體供應系統引入反應氣體，利用高頻或微波電源在反應室內產生等離子體，使氣體分子在等離子體中發生化學反應，最終在基底上沉積形成所需的薄膜材料。設備通常包括反應室、氣體供應系統、等離子體激發系統、加熱系統和真空系統等關鍵部件。

2 設備用途：

枚葉式PECVD設備（或一般PECVD設備）的用途廣泛，主要包括但不限于以下幾個方面：

1. 半導體制造：用于生長SiO2、SiNx等材料，作為MOSFET等半導體器件的絕緣層和通道層。

2. 光伏產業：制備非晶硅、多晶硅等薄膜，用于太陽能電池的光吸收層和透明導電層。

3. 平板顯示器：制備低溫多晶硅薄膜，用于薄膜晶體管面板的薄膜電晶體。

4. 光學涂層：制備SiO2、Si3N4等材料，用于抗反射膜、硬質涂層、光學濾波器等光學涂層的制備。

3 設備特點

枚葉式PECVD設備（基于PECVD技術的一般特點）可能具備以下特點：

1. 高效性：等離子體中的高能粒子能顯著加速化學反應，提高薄膜的沉積速率和生產效率。

2. 高質量：通過精確控制等離子體參數和工藝條件，可以制備出高質量、高純度的薄膜材料。

3. 靈活性：適用于多種材料的薄膜制備，且可通過調整工藝參數實現薄膜性質的精確調控。

4. 環保性：相比傳統化學沉積方法，PECVD在制備過程中通常不需要使用有害的化學試劑，減少了環境污染。

4 技術參數和特點：

•27.12MHz高密度等離子制程

•SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：可對應SiO2膜

•以NF3+Ar Plasma實現腔體清潔功能

•可對應有機EL（OLED）的低溫成膜用heater

•使用Tray大可搬送□200mm(CME-200E)的基板尺寸(CME-400:可對應300×400)