等離子體（ICP）刻蝕設備

簡要描述：RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負載鎖定型蝕刻系統，等離子體（ICP）刻蝕設備可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式，可產生均勻、高密度的等離子體。

產品型號：RIE-400iP
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-09-06
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1. 產品概述

RIE-400iP是用于?4 "晶圓的負載鎖定型蝕刻系統，可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用的龍卷風線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式，可產生均勻、高密度的等離子體。另外，可以根據加工材料和加工內容選擇合適的等離子體源。

2. 設備用途/原理

GaN、GaAs、InP等化合物半導體的高精度蝕刻。生產半導體激光器和光子晶體。

3. 設備特點

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效穩定地應用高射頻功率（2千瓦以上），并實現良好的均勻性。大流量排氣系統，排氣系統直接連接到反應室，可以實現從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。端點監測，干涉法和發射光譜終點監測儀可用于目標薄膜厚度的終點檢測。易于維護的設計，TMP(渦輪分子泵)已集成在一個單元中，便于更換。

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