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            深硅刻蝕設備

            簡要描述:RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發目的而改裝的。該系統由Robert Bosch GmbH(德國)授權,能夠對MEMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。

            • 產品型號:RIE-400iPB
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-04
            • 訪  問  量: 341

            詳細介紹

            1. 產品概述

            RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發目的而改裝的。該系統由Robert Bosch GmbH(德國)授權,能夠對MEMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。

            2. 設備用途/原理

            MEMS的制造(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執行器等),μTAS等醫療設備的加工。

            3. 設備特點

            可以實現高速硅深孔加工,它具有的等離子體源和反應器結構,支持博世工藝,可實現硅的快速深鉆。保持速度,減少扇形,通過高速切換氣體,可以在保持蝕刻速度的同時減少扇形。可以進行SiO?的蝕刻,可以通過更換用ICP線圈來處理SiO?

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