<noframes id="91h9j"><form id="91h9j"><th id="91h9j"></th></form>

      <noframes id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address>
      <address id="91h9j"><listing id="91h9j"><meter id="91h9j"></meter></listing></address>
        <address id="91h9j"></address>
        <address id="91h9j"><address id="91h9j"><nobr id="91h9j"></nobr></address></address><form id="91h9j"></form>

            <address id="91h9j"><nobr id="91h9j"><progress id="91h9j"></progress></nobr></address>
            歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站!
            咨詢熱線

            當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  5 刻蝕設備  >  RIE-800BCT深硅刻蝕設備

            深硅刻蝕設備

            簡要描述:RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產型硅DRIE系統。這種高性能系統能夠進行高縱橫比處理(超過100)和低扇形處理,同時保持高蝕刻率和選擇性。

            • 產品型號:RIE-800BCT
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2024-09-06
            • 訪  問  量: 314

            詳細介紹

            1. 產品概述

            RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產型硅DRIE系統。這種高性能系統能夠進行高縱橫比處理(超過100)和低扇形處理,同時保持高蝕刻率和選擇性。

            2. 設備用途/原理

            制造MEMS(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執行器等)噴墨打印頭的加工,形成通硅孔(TSV),功率器件(超結MOSFET)的制造。等離子切割。

            3. 設備特點

            MEMS量產中的高速蝕刻量產中的高寬比蝕刻,扇貝的控制/無扇貝的非波西法流程,傾斜控制,均勻性好用于絕緣體硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脈沖。深硅ICP刻蝕機是一種用于信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器。


            產品咨詢

            留言框

            • 產品:

            • 您的單位:

            • 您的姓名:

            • 聯系電話:

            • 常用郵箱:

            • 省份:

            • 詳細地址:

            • 補充說明:

            • 驗證碼:

              請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
            日本乱码一卡二卡三卡永久