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詳細介紹
1. 產品概述
iTops PVD AlN 濺射系統，采用托盤形式，可兼容 2/4/6 英寸。
2. 設備用途/原理
iTops PVD AlN 濺射系統，采用托盤形式，可兼容 2/4/6 英寸，工藝溫度在 0~700℃之間。占地面積小，結構簡單，操作靈活，維修方便，設備穩定，運營成本低。
3. 設備特點
晶圓尺寸 2/4/6 英寸兼容。適用材料氮化鋁。適用工藝氮化鋁緩沖層濺射。適用域化合物半導體。百科：?半導體濺射系統的原理主要是利用高能離子撞擊靶材，使靶材的原子或分子從表面逸出，并沉積在半導體基片上，形成一層薄膜。濺射技術可以分為多種類型，包括直流濺射、交流濺射、反應濺射和磁控濺射等，不同類型的濺射技術適用于不同的應用場景。例如，直流濺射適用于導電材料的鍍膜，而交流濺射則適用于導電性較差的材料。反應濺射可以在濺射過程中引入反應氣體，以形成特定的化合物薄膜。磁控濺射則通過加入磁場來控制電子的運動路徑，提高濺射效率和薄膜質量。
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