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詳細介紹
1. 產品概述
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統，優異的氣流場和加熱場設計提供優良的工藝性能。
2. 設備用途/原理
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統：優異的氣流場和加熱場設計提供優良的工藝性能，高效傳輸設計，可提高產能，單、雙、四腔兼容設計，可滿足不同客戶需求。
3. 設備特點
晶圓尺寸 12 英寸，適用材料 硅，適用工藝 埋層外延、選擇性外延 、多晶外延，適用域 科研、集成電路。百科知識；?減壓硅外延系統的工作原理主要涉及在氫等離子體原位清潔過的硅襯底表面上，利用減壓（200～250乇）工藝在980～1000℃的溫度下生長出高質量的外延層。?這一過程不僅優化了外延層的生長條件，還顯著提高了外延層的結晶質量。具體來說，通過減壓工藝，可以減小襯底-外延層界面的摻雜濃度過渡區，從常壓時的1.0μm減小到0.4μm，同時電阻率和厚度的不均勻性分別小于5%和4%。
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