低壓化學氣相沉積系統LPCVD

1 產品概述:

      低壓化學氣相沉積系統（LPCVD）是一種在低壓條件下，通過加熱使氣態化合物在基片表面反應并沉積形成穩定固體薄膜的技術。該系統在半導體制造、電力電子、光電子及MEMS等領域具有廣泛應用。LPCVD系統通過精確控制溫度、壓力及氣體流量等參數，能夠在基片表面形成均勻性良好的薄膜，滿足各種工藝需求。

2 設備用途：

LPCVD系統的主要用途包括：

1. 薄膜沉積：用于淀積多種薄膜材料，如Poly-Si（多晶硅）、Si3N4（氮化硅）、SiO2（二氧化硅）、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等。這些薄膜在半導體器件、電力電子器件、光電子器件及MEMS結構中起著關鍵作用。

2. 半導體制造：在半導體集成電路制造過程中，LPCVD系統用于形成柵極氧化物、表面鈍化層、氮化物應力緩沖層、犧牲氧化物層及阻擋氧化物層等關鍵結構。

3. 光電子應用：在光電子領域，LPCVD系統用于制備光波導、可變折射率層、抗反射層等光學薄膜，提升器件性能。

3 設備特點

LPCVD系統具有以下特點：

1. 低壓環境：在低壓條件下進行沉積，有助于減少氣體分子的碰撞和散射，提高薄膜的均勻性和質量。

2. 高精度控制：系統采用先進的溫度、壓力及氣體流量控制技術，能夠精確控制沉積過程中的各項參數，確保薄膜的精確性和一致性。

3. 多用途性：能夠沉積多種薄膜材料，滿足不同工藝需求，具有廣泛的適用性。

4. 高效性：由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數大，可采用密集裝片方式提高生產率。

4 技術參數和特點：

1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求

2. 直徑200毫米的石英室

3. 內部石英管的設計便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可達直徑150毫米 

5. 三區電阻爐，150毫米的均勻溫度區

6. 溫度高可達1000°C

7. 使用節流型VAT蝶形閥下游壓力控制在50 mTorr到500 mTorr之間 

8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 兩干式真空