有掩膜光刻機

1.產品概述：

MA12是專為對準和曝光300毫米以下方形襯底和晶圓而設計的，適合于工業研究和生產。憑借靈活處理和過程控制解決方案，本設備主要用于優良封裝，包括3D圓晶級芯片尺寸封裝, 以及開發和生產敏感元件，如MEMS。。

2.產品優點：

一個涵蓋微觀到納米壓印的工具

能夠可靠地處理彎曲晶圓片和敏感材料

高的光均勻性

強大的工藝控制

增強的SUSS調平系統

占地面積小，增強了人機工程學特性

3.產品工藝：

頂面對準：在光刻工藝中，只需對準器件晶圓同側的結構（例如再布線層、微凸點 等），用頂部對準功能將掩模位置標記對準晶圓位置標記。 根據襯底的特性，這可以用存儲的晶圓位置數據或者用兩個現場照片 、SUSS MicroTec 開發的DirectAlign™ 直接對準技術實現。

背面對準：應用微電子機械系統（MEMS）、圓晶級封裝和三維集成的工藝，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要與正面結構對準的晶圓背面結構。 此時常使用光學背面對準。 集成攝像機系統采集掩模結構和晶片背面結構并將它們相互對準。 由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋，必須預先確定并存儲其位置。 這對整個對準系統提出了特殊的要求。

提高對準精度：當對套刻精度有較高要求時，大大提升標準系統的自動對準功能。DirectAlign®，SüSS MicroTecs 圖像識別軟件附加功能，放棄圖片存儲系統中的結構圖文件，取而代之的是訪問實況圖。結構識別基于工業標準 PatMax 且取得了優異成績。因此，在 SUSS 掩模對準器上用 Direct Align® 進行頂面對準時對準精度可達到 0.5 微米。

晶圓和掩模輔助裝片：操作者輔助的系統，與人工晶圓把持的優勢相結合，保持了高度的工藝可控與可靠性。