全自動SCRUBBER清洗機 簡介： ?清洗機可以用于對晶圓表面，背面及晶圓邊緣的清洗，通過創新研發的二流體噴嘴技術可將附著在晶圓表面的細微顆粒污染物去除。通過大量仿真與工藝試驗相結合，優化出*的清洗工藝參數，確保不損傷晶圓表面的圖形；對于微米級別大顆粒，采用特殊材料的毛刷或高壓噴淋對晶圓進行擦洗去除。配合晶圓翻轉裝置和夾持式承片臺，可在同一臺設備中實現對晶圓的正反兩面進行清洗。

半導體研磨拋光機是一款操作簡單的桌面型單面拋光設備，可搭配銅盤、錫盤、玻璃盤、不銹鋼盤等，配合不同類型的拋光液，適用于各種半導體材料的研磨拋光，滿足科研院校、企業的研發及小批量生產。

減薄機 簡介： 1. 可根據客戶需求定制化各類工作臺，滿足各類半導體材料的研削薄化工藝 2. 最大晶圓尺寸：8英寸 3. 砂輪規格：Ø203(OD)mm 4. 砂輪軸轉速范圍：0~6000 RPM 5. 工作臺轉速：0~400 RPM 6. Z軸行程：130mm 7. Z軸進給速度：0.1~1000 um /sec 可選配最小0.01um/sec 8. 厚度在線測量分辨率：0.1um

精密劃片機，劃片機 簡介：半導體晶圓、集成電路、QFN、發光二極管、LED芯片、太陽能電池、電子基片等的劃切，適用于包括硅、石英、陶瓷、氧化鋁、氧化鐵、砷化鎵、鈮酸鋰、藍寶石和玻璃等。

CMP后清洗機 簡介： 該系列設備是晶圓CMP后的專用清洗設備，有單工位、轉位式、連線式等不同結構，以適用不同應用場景，其中連線式設備加配全自動上下片系統。該系列設備配有漂洗、雙面刷洗、兆聲清洗、N2吹干、高速甩干功能，集成度高，占地面積小，濕進干出，適用于各類CMP后晶圓的清洗

化學機械拋光機CMP簡介：1. 該化學機械拋光機可用于各類半導體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產品的CMP平坦化拋光。 通過更換拋光頭可兼容4、6、8英寸晶圓2. 系統功能：手動上下片，程序自動進行拋光，配有終點監測裝置，配置半自動loading & unloading托盤系統，8寸規格，方便8寸晶圓上下片3. 拋光數據監測：具有摩擦力監測功能。