一、產品概述：

霍爾效應測試儀是一種用于測量材料霍爾效應的儀器，主要用于評估半導體和導體的電學特性。該設備能夠準確測量材料在外部磁場下的電導率、霍爾電壓和載流子濃度等參數，廣泛應用于材料科學和電子工程領域。

二、設備用途/原理：

·設備用途

霍爾效應測試儀主要用于半導體材料的研究與開發、電氣元件的性能測試以及材料的電學特性評估。它幫助研究人員了解材料的載流子類型、濃度及遷移率，為新材料的設計和應用提供重要數據支持。

·工作原理

霍爾效應測試儀的工作原理基于霍爾效應現象。當電流通過材料時，施加垂直于電流方向的磁場會在材料中產生霍爾電壓。通過測量霍爾電壓和已知的電流及磁場強度，儀器能夠計算出材料的霍爾系數、載流子濃度和遷移率等電學參數。這一過程通常涉及精密的電流和磁場控制，以確保測量的準確性和重復性。

三、主要技術指標：

1. 系統功能：用于測量半導體材料的電阻率/電導率、流動性、散裝/片狀載體濃度、摻雜類型、霍爾系數、磁阻、垂直/水平阻力比的半導體高性能霍爾系統。模塊化設計理念，允許輕松升，該系統適用于各種材料，包括硅和化合物半導體和金屬氧化物膜等

2. 該系統具有低電阻率和高電阻率測量功能，具有雙重溫度功能和一個可選的低溫恒溫器，可擴展該系統溫度范圍從90K到500K

3. 方塊電阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq

4. 載流子濃度量程：106 ~ 1021 cm-3

5. 載流子遷移率量程：1 ~ 107 cm

6. 四個微調探針座，探針直接形成ohm接觸，無需焊線或制作PCB板

7. 大樣品測量直徑：25mm