1、Nikon S206D掃描式光刻機 光源波長248nm 分辨率優于0.12µm 主要用于8寸及12寸生產線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產品詳情 主要技術指標 分辨率0.12µm N.A.0.82 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光現場25mm*33mm 對準精度 20nm

1、Nikon S205C掃描式光刻機 光源波長248nm 分辨率優于0.15µm 主要用于8寸及12寸生產線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產品詳情 主要技術指標 分辨率0.15µm N.A.0.75 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光現場25mm*33mm 對準精度 LSA：35nm FIA：40nm

1、Nikon S204B掃描式光刻機 光源波長248nm 分辨率優于0.18µm 主要用于4寸、6寸及8寸生產線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產品詳情 主要技術指標 分辨率0.18µm N.A.0.68 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光現場25mm*33mm 對準精度 LSA：40nm FIA：45nm

1、Nikon S203B掃描式光刻機 光源波長248nm 分辨率優于0.2µm 主要用于4寸、6寸及8寸生產線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產品詳情 主要技術指標 分辨率0.2µm N.A.0.68 曝光光源248nm 倍率4:1 最大曝光現場25mm*33mm 對準精度 LSA：45nm FIA：50nm

1、Nikon EX14C步進式光刻機 光源波長248nm 分辨率優于0.25µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產品詳情 主要技術指標 分辨率0.25µm N.A.0.6 曝光光源248nm 倍率5:1 最大曝光現場22mm*22mm 對準精度 LSA：55nm FIA：65nm

1、Nikon EX12B步進式光刻機 光源波長248nm 分辨率優于0.3µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產品詳情 主要技術指標 分辨率0.3µm N.A.0.55 曝光光源248nm 倍率5:1 最大曝光現場22mm*22mm 對準精度 LSA：55nm FIA：65nm