有掩膜光刻機是制造半導體、微機電系統（MEMS）、光電子器件等領域中至關重要的設備。通過將電路圖案轉移到基材（通常是硅片）上，為后續的刻蝕、沉積等工藝步驟奠定基礎。
1.曝光前準備：先將光感光材料（光刻膠）均勻涂布在硅片表面。這種材料在后續的處理步驟中會對光發生反應，從而形成我們需要的圖案。
2.掩膜設計：掩膜是一個透明材料（如石英或玻璃）上的圖案，通常是需要轉移到硅片上的電路設計圖案。這些圖案通常通過電子設計自動化（EDA）工具進行設計，并制作成掩膜。
3.曝光：掩膜光刻機將高能量的光（一般使用紫外光）照射到掩膜和硅片上。光線通過掩膜的透明部分，照射到光刻膠上，導致光刻膠在曝光部分發生化學變化。
4.顯影：曝光后，硅片被浸入顯影液中，未被光照射的部分（對于正膠）或被光照射的部分（對于負膠）會被去除，形成所需的圖案。
5.后處理：在顯影完成后，硅片通常會經歷后烘烤和刻蝕等步驟，進一步制作出器件的特征結構。
類型：
1.接觸式掩膜光刻機：掩膜直接接觸光刻膠，以提高分辨率。適合小尺寸器件，但易受污染。
2.近接式掩膜光刻機：掩膜與硅片之間保留一定距離，減少污染，但分辨率較低，適合較大圖案。
3.投影式掩膜光刻機：通過鏡頭系統將掩膜上的圖案縮小投影到硅片上，分辨率高，適合大規模集成電路（IC）制造。
有掩膜光刻機的應用領域：
1.半導體制造：掩膜光刻是芯片制造中重要的步驟，用于轉移電路圖案。
2.MEMS：微機電系統的制造同樣依賴于高精度的掩膜光刻技術，用于制造微傳感器和微致動器。
3.光電子器件：在激光、光纖等光電子產品的制造過程中，也需要精準的圖案轉移。
4.納米技術：隨著納米技術的發展，掩膜光刻機在納米級圖案制造中的應用越來越廣泛。
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